كشفت شركة “آي بي إم” اللثام عن تطويرها لأول تكنولوجيا من نوعها على مستوى العالم قادرة على إنتاج معالجات ورقائق إلكترونية بدقة تصنيع تكسر حاجز النانومتر الواحد، مرتكزة على بنية هندسية مبتكرة للترانزستورات تبلغ 0.7 نانومتر (أو ما يعادل 7 أنجستروم).
وذكرت المجموعة التكنولوجية الأمريكية أن هذه الطفرة التقنية تسمح بدمج ما يقرب من 100 مليار ترانزستور في مساحة متناهية الصغر لا تتعدى سطح ظفر الإصبع، وهو ما يمثل مضاعفة للكثافة الحالية المتاحة في رقاقات الـ 2 نانومتر التي كانت الشركة قد أعلنت عنها في عام 2021، وفقاً لما نقلته وكالة “رويترز”.
وتكفل هذه الكثافة الفائقة تقديم قفزة في الأداء الحوسبي تصل إلى 50%، أو خفض مستويات استهلاك الطاقة بنسبة تصل إلى 70% مقارنة بالجيل السابق، وذلك بفضل الاعتماد على تصميم ثوري يحمل اسم “نانو ستاك” (NanoStack)، والذي يعتمد على رص وتكديس الترانزستورات فوق بعضها بعضاً بشكل عمودي ثلاثي الأبعاد.
ويأتي هذا السبق العلمي في وقت يسابق فيه مصنعو أشباه الموصلات الزمن لإيجاد حلول بديلة تضمن استمرار الامتداد الزمني لـ “قانون مور” الشهير، والمعني بمضاعفة قوة الحوسبة وتقليص مساحاتها؛ مما ترتب عليه تفاعل الأسواق إيجابياً مع الخبر وارتفاع سهم الشركة بنسبة تتجاوز 6% في تداولات ما قبل افتتاح السوق المالي.
